Atomik katman biriktirme tekniği bir çeşit kimyasal buhar biriktirme yöntemi gibidir. Al ,Ti, Zn, Hf gibi ALD de kullanılan kaynaklardan bazılarıdır. Bu kaynaklar taşıyıcı nitrojen gazı ile reaktör içerisine doldurulur. Bu süreçte her bir kaynak yüzeyde tek katman oluşturur.Bu işlemler sırasıyla yapılarak yüzeyde reaksiyon gerçekleşmesi sağlanır. Bu döngü tekrarlanır, katmanlar yüzeyde ince film oluşturur. Bu sayede film kalınlık kontrollü ve tanımlıdır. Homojen bir kaplama gerçekleşir. Şekilli yüzeylerde dahi konformal olarak kaplanması mümkündür.

ALD Mikroelektronik ve biyomühendislik alanlarında kullanılmaktadır.

NANOLİZ ALD sistemleri çok uygun maliyetlerde tasarlanmaktadır. Araştırmacılar ve Nanoliz iş birliği ile geliştirilen ALD Sistemleri gereksinimleri karşılamaktadır.

Thermal ALD systemleri, NL-AL 100, NL-AL 200, NL-AL 300 modelleri olarak 3 farklı modelde üretilmektedir. NL-AL 100 modeli 100 mm, NL-AL 200 modeli 200 mm ve NL-AL 300 modeli ile 300 mm çapında örnekler kaplanabilmektedir.

Isıtıcılar ile 300 dereceye kadar sıcaklık sağlanabilmekte ve ayrıca sıcaklık kontrolü yapılabilmektedir. Cihaz, 4 çeşit kaplama kaynağı ile tam otomatik olarak kullanıma sunulmuştur.

Tüm bunlara ek olarak Ozon Jeneratörü sisteme entegre edilebilir böylelikle daha spesifik kaplama sağlanmış olur. RF Plasma kaynağı da sisteme ayrıca eklenebilir.